《表3 不同Al–Mg–B薄膜中各元素的含量》

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《射频磁控溅射非晶Al–Mg–B薄膜的制备及性能》

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从表3可知，随着溅射功率及沉积温度增大，薄膜中硼元素含量随之增多，Al和Mg元素含量却在相应减少。薄膜中Al与Mg原子比在0.8～0.9范围内波动，并未出现Al Mg B14晶体结构中Al和Mg原子比为1的结构，这与XRD结果一致。