《表3 不同基底粗糙度退火后的薄膜铂电阻参数》

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《退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究》

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如表3所示为不同基底粗糙度退火后的薄膜铂电阻参数，根据表3的数据，可以看出：相同的退火条件下，基底粗糙度为230 nm的铂薄膜相比于基底粗糙度为40 nm的铂薄膜具有更高的灵敏度。如图2所示为不同粗糙度氧化铝基底的薄膜铂电阻热处理后的表面形貌SEM图，从图中可以发现，粗糙度大的基底由于具有很多的间隙，使得铂薄膜具有足够的空间进行内部应力的释放，但退火温度不宜过高，过高的温度会使铂粒子过度生长，彼此之间会重新出现互相挤压的状态，从而产生新的热应力，使性能降低。