《表2 不同流量比生长的Zn O:P薄膜经快速退火后的电学参数》
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为了研究流量比对ZnO P薄膜的电学性质，对750℃热处理后的石英衬底上的ZnO P薄膜进行了霍耳测量。见表2。
| 图表编号 | XD0016258200 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2018.10.26 |
| 作者 | 解玉鹏、王显德、张楠楠、蔚金 |
| 绘制单位 | 吉林化工学院、吉林化工学院、中国人民解放军吉林陆军预备役某师、海通证券股份有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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