《表5 不同气体流量比碳纳米管生长工艺参数》

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《表面生长碳纳米管对C/C复合材料钎焊接头的影响》

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在碳纳米管生长过程中，其分布和数量主要受活性碳原子和H+刻蚀的双重影响。在高温和等离子射频作用下，CH4分解出活性碳原子作为碳源，H2分解出H+对催化剂颗粒、无定形碳以及碳纳米管进行刻蚀。因此，CH4和H2气体的比例也将影响碳纳米管的生长形貌。固定碳纳米管生长过程中H2气体流量为10 sccm，改变CH4气体流量为10～80 sccm，对碳纳米管生长形貌进行研究，工艺参数见表5。