《表2 不同工艺的高纯HCl气体体积流量和SiC粉料杂质浓度》
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式中：M代表硼、铝、钒和钛等杂质元素；m和n为不同元素对应的化学计量数，且n/2和n/m均为整数。表2中的杂质浓度由SIMS测得，在SIMS测试过程中，先探测杂质元素的二次离子强度（IE），再依据式（2)[10]计算出杂质浓度（cE），即
| 图表编号 | XD00129332000 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.05.15 |
| 作者 | 高卫、赵丽霞、李召永、王毅、吴会旺 |
| 绘制单位 | 河北普兴电子科技股份有限公司、河北省新型半导体材料重点实验室(筹)、河北普兴电子科技股份有限公司、河北省新型半导体材料重点实验室(筹)、河北普兴电子科技股份有限公司、河北省新型半导体材料重点实验室(筹)、河北普兴电子科技股份有限公司、河北省新型半导体材料重点实验室(筹)、河北普兴电子科技股份有限公司、河北省新型半导体材料重点实验室(筹) |
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