《表1 不同工艺下p型4H-SiC同质外延片掺杂浓度与距表面深度斜率值》
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相应的斜率值展示在表1中。从表1中可以得到，采用阻挡层法能够有效抑制外延中固相和气相自掺杂，制备出p型4H-SiC同质外延有效层厚度最厚。
| 图表编号 | XD00129499500 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.04.15 |
| 作者 | 杨龙、赵丽霞、吴会旺 |
| 绘制单位 | 河北普兴电子科技股份有限公司、河北省新型半导体材料重点实验室(筹)、河北普兴电子科技股份有限公司、河北省新型半导体材料重点实验室(筹)、河北普兴电子科技股份有限公司、河北省新型半导体材料重点实验室(筹) |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
