《表1 样品实验序列：成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响》

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《成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响》

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该项课题使用的外延基础结构为375nm波长的紫外LED外延工艺。首先在C面蓝宝石衬底上生长低温成核层；然后升温至1000℃生长GaN修复层；待表面修复平整后生长2μm左右的n型GaN层；n型层之上生长5个周期的InGaN/GaN量子阱垒周期，阱垒层的厚度分别为2nm和15nm；之后生长15nm左右的p型AlGaN电子限制层，最后生长200nm的p型GaN。该项课题的主要研究内容是结构中最底层的低温成核层，样品制备及工艺如表1所示。