《表2 优化前后外延片性能参数对比》

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《4HN-SiC包裹物在薄层同质外延中的转化》

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通过使用优化后的4HN型SiC单晶抛光片和外延生长工艺，制备出高质量的SiC外延片。表2是工艺优化前后生长的外延片性能参数对比。从表2中可看出，优化后其外延层厚度和掺杂浓度不均匀性分别为0.98%和2.89%（计算公式为不均匀性（%）=（最大值-最小值）×100/（最大值+最小值）），略优于优化前水平；外延片合格率为99.3%，明显高于优化前良率水平。通过对表面缺陷数据分析，发现优化后外延层表面三角形缺陷数量由49个降低至9个，其形成并非来自于包裹物的转化，而是由于其他原因导致的，如掉落物。