《表3 不同工艺硅外延片电阻率测试结果》

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《一种重掺衬底上生长硅外延层的工艺研究》

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2种不同硅外延工艺下，硅外延层电阻率的测试结果如表3所示。改进工艺中增加一次主氢气流的变流吹扫（290～350～290 L/min），最终通过滞留层的厚度快速变化，从而有效抑制了杂质对外延生长过程的扰动，可见外延层电阻率不均匀性较常规工艺明显提高。