《表2 不同工艺外延厚度测试结果》

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《一种重掺衬底上生长硅外延层的工艺研究》

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2种不同硅外延工艺下的外延层厚度的测试结果如表2所示。在改进工艺中，硅外延掺杂层的生长速率因生长温度降低得以放缓，在低生长速率下，硅外延片的片内厚度均匀性较常规工艺相比得到了有效改善。