《表2 不同外延厚度系统自掺杂影响》

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《重掺衬底对硅外延过程中系统自掺杂的影响》

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上文表明系统自掺杂效应会随着衬底掺杂剂的不断扩散进入相对饱和状态，即反应系统吸附杂质能力有限。在系统吸附杂质总量一定时，随着外延厚度的增加，系统吸附杂质占外延层总的杂质比例不断降低，即系统自掺杂影响减少。为此设计实验，采用重掺Ph衬底在相同生长条件下，调整反应时间控制外延厚度[7]，通过测试外延第一炉和第二炉外延电阻率的差异来分析不同外延厚度对系统自掺杂的影响。从表2可以看出，随着外延厚度的增加，第一炉和第二炉外延电阻率差异减少，即系统自掺杂影响减小。