《表1 不同衬底系统自掺杂影响》

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《重掺衬底对硅外延过程中系统自掺杂的影响》

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采用不同掺杂剂、不同掺杂浓度的衬底，在相同生长条件下外延3次（即设定生长时间使外延厚度控制在20μm、设定掺杂流量使第一炉电阻率为6Ω·cm，第二炉、第三炉生长条件与第一炉相同），分析衬底掺杂对系统自掺杂的影响，结果见表1。