《表1 不同掺杂方式对C12-BTBT的OFETs器件性能影响》

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《掺杂在有机场效应晶体管中的应用进展》

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使用不同掺杂效果的结果总结如表1所示。我们发现低压氧等离子体（20 Pa）可以有效地低浓度掺杂C12-BTBT，在不降低器件开关比的前提下，明显减小器件的阈值电压，从-30 V锐减至0 V左右，优化亚阈值摆幅，改善了在低工作电压下的表现，使低电压迁移率达到5 cm2/（V·s）。高压氧等离子（100 Pa）引入过量浓度的掺杂剂量，导致开关比下降。紫外臭氧处理的结果与高气压氧等离子体类似，但因为前者的处理避免了活性氧对于有机层的冲击，更加温和，使得器件可以经历更久的处理，同时，与蒸镀传统的掺杂剂F4-TCNQ进行了对比，发现活性氧掺杂具有媲美传统掺杂剂的掺杂效果[37]。