《表1 不同CsCl掺杂量的器件参数表》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《氯化铯掺杂PEDOT∶PSS助力高效率、高亮度钙钛矿发光二极管》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

CsCl不同掺入量（无掺杂，3 mg/mL，6 mg/mL，9 mg/mL）的Pero-LEDs的性能如图1所示，相应的一些器件参数列在表1中。图1（a）与1(b）分别为本文在玻璃基底上制备的Pero-LEDs器件的结构示意图与能级示意图，其中图1(b）中虚线部分表示经过CsCl掺杂的PEDOT∶PSS薄膜HOMO能级降低的部分。图1(c）为器件在不同电压下的电致发光光谱，图中显示随着电压的变化发光峰位置保持不变，表现出了出色的发光稳定性；插图为器件在4V电压下的发光实物图。图1(d）～1(e）显示的是不同CsCl掺杂样品的器件性能图。图1(d）中J-V-L曲线表明掺入CsCl后，微量掺杂（3mg/mL）的器件表现出与未掺杂器件相似的电流密度曲线。随着掺杂量的继续增加，器件的电流密度会先增大后减小，这一结果表明掺入CsCl能够改变空穴的注入效率；使器件的载流子平衡出现变化。同时，3mg/mL CsCl与6mg/mL掺量的器件表现出了较高的亮度，其中3 mg/mL的样品达到了124 012cd/m2的最高亮度。同样的结果如图1(e）所示，微量掺杂CsCl(3mg/mL）的样品表现出了10.39%的最高EQE。然而，CsCl掺入量继续增多后，器件的亮度与其他性能出现了快速的降低。图1(f）为同一批微量掺杂器件的EQE分布图，分布图的结果显示，超过了50%的微量掺杂样品的效率优于未掺杂样品的最优效率。