《表2 器件的性能参数：在Liq中掺杂Yb作为电子注入层修饰电极Yb/Al》

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《在Liq中掺杂Yb作为电子注入层修饰电极Yb/Al》

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a．启亮电压在0.25mA/cm2下测得，b．驱动电压、亮度在50mA/cm2下测得，c．电流效率、功率效率和外量子效率是器件最高效率时的值。

器件H是器件B和E的组合。从图4(a）电压-电流密度-亮度曲线可以看出，器件H的电压最低为3.5V，亮度最高为26 808cd/m2，电压和亮度性能都比器件B和E优异；与参考器件I对比，亮度提高了2 181cd/m2，但电压提高了0.27V。从图4(b）亮度-电流效率-功率效率曲线可以看出，在5 000cd/m2之前，器件H的电流效率比器件E的电流效率低，在5 000cd/m2之后，它们的曲线几乎重合，器件H的最高电流效率是79.81cd/A，器件E的最高电流效率是87.07cd/A，且都比器件B和参考器件I高。而器件H、E和参考器件I的整体亮度-功率效率曲线相似，器件H的最高功率效率是71.57lm/W，器件E的最高功率效率是74.89lm/W，器件I的最高功率效率是64.29lm/W，3个器件的功率效率都比器件B的最高功率效率60.74lm/W高。从图4(c）亮度-外量子效率曲线可以看出，器件E外量子效率最高，其最高外量子效率是24.07%，器件H的最高外量子效率是21.79%。参考器件I的整体外量子效率比器件B的整体外量子效率高，但其最高外量子效率18.8%比器件B的18.9%稍低。从图4(d）在1mA/cm2下的归一化光谱可以看出，归一化光谱几乎没有变化，所以在参考器件的基础上蒸镀一层Yb或者在Liq中掺杂微量的Yb对光谱几乎没有影响。具体参数如表2所示。