《表2 不同器件在不同注入电流密度区间内的波长蓝移变化率》

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《绿光LED有源区中极化自屏蔽效应的研究》

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另外，本文分别对不同注入电流密度区间的波长蓝移变化率进行了计算，并将具体数值展示在表2中。在低注入电流密度区间内（0～40 A/cm2)，LED A的波长蓝移变化率为0.252 5 nm·A-1·cm2。在相同的注入电流变化区间内，LED S1、S2和S3则显示了较小的波长蓝移变化率，并且随着量子垒中In N组分的增加，量子阱中极化电场被逐步屏蔽，波长蓝移变化率逐渐减小。同时，在大注入电流密度区间内（170～340 A/cm2)，LED A、S1、S2和S3的波长蓝移变化率与小注入电流密度区间内的波长蓝移变化率展现了相同的趋势。即由于量子垒中In N组分的增加屏蔽了量子阱中的极化电场，从而使波长蓝移变化率逐步减小。然而，如表2所示，大注入电流密度下不同器件的波长蓝移变化率是小于小注入电流密度下不同器件的波长蓝移变化率的。这主要是因为在大注入电流的情况下，大量的注入载流子能够对量子阱内的部分极化电场进行有效屏蔽，从而使大注入电流密度下的波长蓝移变化率得到降低。