《表1 不同器件量子阱/量子垒界面的极化诱导面电荷密度σs以及In N组分渐变量子垒中的极化诱导体电荷密度ρb》
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另外本文计算了不同器件量子阱/量子垒界面的极化诱导面电荷密度σs以及LED S1、S2和S3中In N组分渐变量子垒中的极化诱导体电荷密度ρb，并将具体数值展示在表1中。
| 图表编号 | XD00186493800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.10.01 |
| 作者 | 李铁、王景芹、曹冠龙、王佳佳、张紫辉 |
| 绘制单位 | 省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室、省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室、河北工业大学技术转移中心、河北工业大学电子信息工程学院、河北工业大学电子信息工程学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
