《表9 不同温度下的GaN量子点尺寸和密度》

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《S-K方法外延GaN量子点的系统分析》

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为了验证两个温度窗口获得的GaN量子点的质量，我们分别在750℃和805℃生长了两个GaN量子点样品，其他生长条件完全相同，两个量子点样品均未生长帽层结构。测试两个样品的光致发光强度（Photoluminescence，PL）如图6所示，激发波长为224 nm。380 nm处的峰来自于AlN的缺陷发光锋。[30]，805℃生长的GaN量子点在320 nm处有一个较强的发光峰；而750℃生长的GaN量子点没有明显的量子点发光锋。