《表2 不同Ⅴ/Ⅲ生长的GaN量子点尺寸和密度》

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《S-K方法外延GaN量子点的系统分析》

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为了研究不同Ⅴ/Ⅲ对GaN量子点表面形貌的影响，对三个不同Ⅴ/Ⅲ条件下获得的样品都进行AFM表征，如图1所示。为了便于比较，对AFM图中量子点的尺寸进行统计并列入表2中。对比样品V1和V2，随着Ⅴ/Ⅲ从1 120增加到1 920，量子点的直径和高度减小，但整体密度增加。这是因为随着NH3流量的增加，GaN的沉积量增加，导致GaN成核点增多，而NH3偏压的增加会抑制Ga原子的迁移，从而使得GaN量子点的尺寸减小。对比样品V2和V3，量子点的横向尺寸增加，纵向尺寸减小，GaN偏向于二维生长。这种情况是因为随着NH3增加，NH3分子已经远远超过了与TEG反应所需的剂量，Ga-N平衡由Ga-rich转变为N-rich，多余的N原子起到表面活性剂的作用，提高了生长面的表面能，导致GaN三维成核减少[25]。