《表1 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点的有机相制备方法》

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《Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点的制备及其在照明显示领域的应用》

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然而，在热注入法制备过程中，往往需要注射溶液总体积25%～50%的阴离子前驱体溶液，量子点的生长很大程度上依赖于注射时间及注射速率。同时，反应前驱体的混合时间、反应冷却时间等均会对量子点的生长动力学产生影响，导致该方法可操作性、再现性较差，极大限制了其应用于大规模生产[68]。加热法（又称为“一锅法”）为高质量多元量子点的可控、批量制备提供了新途径，该方法通过将金属离子前驱体、配体及阴离子前驱体溶于溶剂中得到均匀溶液，直接将上述混合溶液加热至特定温度反应一定时间获得多元量子点。Manna等[19]报道了以DDT为配体和硫源、CuI和In（Ac）3为反应前体，通过调节前体间的比例，在230℃合成出CIS量子点，其量子产率可达23%；随后向上述量子点溶液中加入Zn前驱体继续在210℃加热，利用Zn2+与Cu+和In3+发生阳离子交换反应，最终得到CIZS量子点，在未经进一步处理的条件下，量子产率可达80%。Zhong等[22]以金属离子醋酸盐为反应前驱体、油胺为活化剂、十二硫醇为配体，采用一锅法在220℃制备了CIZS量子点，其发射峰在450～810 nm连续可调，经ZnS包覆后量子产率可达85%。