《表4 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点电致发光器件的性能参数》
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《Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点的制备及其在照明显示领域的应用》
虽然上述EL器件具有优异的光电性能,但发光层使用的Cd系量子点含重金属元素严重制约了其商业应用,欧盟已明令禁止工业产品中含有此类元素。因此,新型绿色Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点逐渐进入了科研工作者的视野。表4列举了基于Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点EL器件的相关研究成果。由于存在电荷传输层与量子点发射层的电荷注入效率低、电荷传输层与量子点界面间的空间电荷累积造成激子猝灭、溶液加工过程中相邻功能层间的混合等问题,导致Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点EL器件依然存在亮度低、EQE低、开启电压高等突出问题[92,93]。Yang等[94]以CIS/ZnS量子点作为发光层、PEDOT:PSS为空穴注入层、PVK为空穴传输层、ZnO为电子传输层制备结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK/QDs/Zn O/Al的EL器件,通过对量子点发光层厚度的调控可获得亮度最高可达1564 cd/m2、电流效率为2.52 cd/A、EQE为1.1%、开启电压仅为5 V的器件。
图表编号 | XD0089668800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.09.24 |
作者 | 徐彦乔、陈婷、王连军、江伟辉、江莞、谢志翔 |
绘制单位 | 景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院、景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院、国家日用及建筑陶瓷工程技术研究中心、国家日用及建筑陶瓷工程技术研究中心、东华大学材料科学与工程学院、景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院、国家日用及建筑陶瓷工程技术研究中心、国家日用及建筑陶瓷工程技术研究中心、东华大学材料科学与工程学院、景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院 |
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