《表3 本文制备的OLED器件的电致发光性能Tab.3 EL performance data of OLED involved in this work》
(a) 器件a1在5 V时的电致发光光谱最大发射峰位;(b)器件a1在100 cd/m2时的色坐标;(c)器件的最大外量子效率;(d)最大电流效率;(e)最大功率效率;(f)最大亮度。
在器件a1中,载流子传输平衡,γ是电子和空穴的复合效率,可以认为是100%;器件的基底是玻璃,ηout耦合出光效率是0.20;ηpl是发光材料的薄膜荧光量子产率,对CzPAF-CP来说,ηpl为44%。根据以上方程,器件a1的单线态激子利用率为71.6%,远高于传统荧光材料单线态激子利用率低于25%的限制。从图4(d)和表2中可以看出只有不到4 ns的短寿命,可以推测涉及长寿命三线态激子的三线态-三线态湮灭机制和热活化延迟荧光机制不是导致CzPAF-CP激子利用率提高的原因。因此,推测是CzPAF-CP的HLCT激发态以及处于高能级的三线态激子向单线态激子发生反系间窜越过程导致CzPAF-CP激子的利用率提高。
图表编号 | XD0017637800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.12.01 |
作者 | 候敏娜、吴董宇、卢国婧、杨晶晶、苗艳勤、王科翔、王华、郭臻 |
绘制单位 | 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学新材料工程技术研究中心、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学新材料工程技术研究中心、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学新材料工程技术研究中心、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学新材料工程技术研究中心、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学新材料工程技术研究中心、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学新材料工程技术研究 |
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