《表2 氧等离子体处理前后的天蓝色磷光OLED器件性能的关键参数[45]》

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《基于石墨烯透明导电薄膜的OLED研究进展》

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Hwang等[44-45]采用氧等离子体对在Si/SiO2/Ni基底上制备的多层（5～8，图11a）石墨烯薄膜（80%～85%@550 nm，图11b）表面进行处理，并分别以处理前后的石墨烯薄膜作为OLED器件的透明阳极，阳极横截面如图11c所示。实验结果表明，由于本征石墨烯薄膜面电阻大（<200Ω/sq）、功函数低，导致空穴不能有效地从阳极向有机层注入，OLED器件的功率效率最大值为～3 lm/W。虽然采用氧等离子体处理的石墨烯薄膜表面功函数有所改善，降低了界面势垒，进而提高器件性能（24.1 lm/W@1000 cd/m，表2），但同时也造成了石墨烯薄膜表面粗糙度增大（图11d），导电性降低（552Ω/sq）。