《表3 器件性能:含S,S-二氧-二苯并噻吩单元的红光磷光主体材料的合成与光电性能研究》

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《"含S,S-二氧-二苯并噻吩单元的红光磷光主体材料的合成与光电性能研究"》


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a对应于1 cd/m2;b电流密度为10.5 mA/cm2时的测量值。

由于聚合物pCzFSO具有较宽的光学带隙,聚合物pCzFSO具有作为磷光的主体材料的潜力。为了研究聚合物pCzFSO作为主体材料的应用,首先需要考察其作为电致发光材料的光电性能。因此,以聚合物pCzFSO为发光层制备了PLED,相应的器件结构为:ITO/PEDOT:PSS(40 nm)/PVK(40 nm)/pCzFSO(70 nm)/Ba(4 nm)/Al(100 nm),其性能数据列于表3。图4为该PLED器件的EL光谱,所对应的色坐标为(0.19,0.34),聚合物pCzFSO的发光在天蓝光区。