《表3 器件性能:含S,S-二氧-二苯并噻吩单元的红光磷光主体材料的合成与光电性能研究》
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《"含S,S-二氧-二苯并噻吩单元的红光磷光主体材料的合成与光电性能研究"》
a对应于1 cd/m2;b电流密度为10.5 mA/cm2时的测量值。
由于聚合物pCzFSO具有较宽的光学带隙,聚合物pCzFSO具有作为磷光的主体材料的潜力。为了研究聚合物pCzFSO作为主体材料的应用,首先需要考察其作为电致发光材料的光电性能。因此,以聚合物pCzFSO为发光层制备了PLED,相应的器件结构为:ITO/PEDOT:PSS(40 nm)/PVK(40 nm)/pCzFSO(70 nm)/Ba(4 nm)/Al(100 nm),其性能数据列于表3。图4为该PLED器件的EL光谱,所对应的色坐标为(0.19,0.34),聚合物pCzFSO的发光在天蓝光区。
图表编号 | XD00121291400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.01 |
作者 | 王刚、肖慧萍、曹家庆、周建萍、王云英、钟卫、翁闻升 |
绘制单位 | 南昌航空大学材料科学与工程学院、南昌航空大学材料科学与工程学院、南昌航空大学教务处、南昌航空大学材料科学与工程学院、南昌航空大学材料科学与工程学院、南昌航空大学材料科学与工程学院、南昌航空大学材料科学与工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |