《表2 器件C1~C4的光电性能参数》
图6和7分别是器件C1~C4的J-V-L特性曲线和η-J特性曲线。从图6可知,随着Al厚度的增加,TOLED的亮度和电流效率随之增加且启亮电压明显降低。在电流密度为10mA/cm2时,器件C2、C3相比于C1的亮度有所增大,但C4由于Al层过厚,光透过率降低,导致亮度有所下降。器件C2和C3的最大电流效率分别是16.4和16.6cd/A,相比C1分别增加了28%和30%。本文使用Al/C60/pentanece/MoO3作为CGL能够有效地降低器件的工作电压是因为Al作为C60相邻的电子注入层,在外加电场的作用下,电子可以沿C60的LUMO能级以较低的势垒注入到Al中,最后注入到发光单元中。而CGL中所使用的MoO3材料制备的薄层是一种透过率大于80%的p型金属氧化物层,其HOMO能级为5.3eV,接近NPB(~5.5eV)的HOMO能级,使得堆积在MoO3/NPB界面附近的空穴很容易注入并传输至发光层内。插入Al和MoO3会减小CGL向两个发光单元注入电荷的难度,从而降低了器件的启亮电压和工作电压。表2列出了器件C1~C4的光电性能参数。
图表编号 | XD00188393000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.06.01 |
作者 | 王振、柳菲、郑新、陈爱、谢嘉凤 |
绘制单位 | 重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |