《表1 器件B1~B3的光电性能参数表》
图4、5分别是器件B1~B3的电流密度-电压-亮度(J-V-L)特性曲线和发光效率-电流密度(η-J)特性曲线,从图可知,叠层器件B2、B3与单层器件B1相比,虽然在相同的电流密度和亮度下需要的工作电压更高,但B2、B3的驱动偏压明显低于单层器件的1/2,这对于有效提高TOLED功率效率非常重要。B2、B3的启亮电压分别为10.7和9.7V,是单层器件B1启亮电压6.8V的1.6倍和1.4倍,并没有达到2倍以上;从器件亮度与偏压的关系曲线也能明显地看出上述现象,当亮度为900cd/m2时,单层器件B1的工作电压为15.2V,而TOLED B2和B3的工作电压仅为14.3和16.8V,被很好地控制到了单层器件的2倍以内。分析可知,B3的启亮电压比B2的低,在相同亮度下的工作电压也较低,表明增加了Al和MoO3薄层的CGL电荷产生和注入的能力更佳。如图5,TOLED B2和B3的最大电流效率分别为7.2和12.8cd/A,是单层器件B1(3.2cd/A)的2.2倍和4.0倍,其中器件B3比器件B2也提高了近77%。基于此分析知Al/C60/pentanece/MoO3是一种高性能的CGL,有较好的电荷生成和分离能力,大大提高了TOLED的光电性能。表1列出了器件B1~B3的光电性能参数。
图表编号 | XD00188393400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.06.01 |
作者 | 王振、柳菲、郑新、陈爱、谢嘉凤 |
绘制单位 | 重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |