《表1 不同器件的光电特性比较》
与文献[22-23]相比,本文光晶体管的重要参数,包括光敏感性P、光响应度R和比探测率D*,都明显更高,见表1.VOPTs光电性能的提高,主要归因于其采用了垂直结构,使得光生空穴在超短沟道中更易于与光生电子分离,且光生空穴受到晶格原子及缺陷散射的几率更小,使沟道中有更多的光生空穴转换成光生电流.
图表编号 | XD00117857600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.01 |
作者 | 张国成、张平均、何兴理、张红 |
绘制单位 | 福建工程学院微电子技术研究中心、福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室、福建工程学院信息科学与工程学院、福建工程学院微电子技术研究中心、福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室 |
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