《表1 CMOS光电器件单粒子效应敏感性对比》

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《CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展》

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兰州空间技术物理所安恒等[28]利用激光聚焦定位的优势，结合CMOS图像传感器的内部结构特点，分析了某国产CIS内部不同功能单元对单粒子效应的敏感性，结果如表1所示。试验中通过示波器监测CIS输出波形，和电源电流变化判断器件发生何种单粒子现象。然后通过采用能量渐近的方法确定CIS发生单粒子效应的阈值。