《表1 器件信息：电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响》

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《电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响》

实验器件为Cypress公司生产的两款商用SRAM器件，两款器件分别采用90与65 nm工艺制程，存储单元均为6-T结构。器件详细信息如表1所列。

图表编号	XD00106149500 严禁用于非法目的
绘制时间	2019.09.20
作者	姬庆刚、刘杰、李东青、刘天奇、叶兵、赵培雄、孙友梅、陆妩、郑齐文
绘制单位	中国科学院近代物理研究所、中国科学院大学核科学与技术学院、中国科学院近代物理研究所、中国科学院近代物理研究所、中国科学院大学核科学与技术学院、中国科学院近代物理研究所、中国科学院近代物理研究所、中国科学院近代物理研究所、中国科学院大学核科学与技术学院、中国科学院近代物理研究所、中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院新疆理化技术研究所
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