《表2 敏感器件单粒子效应截面典型值》

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《航空电子设备大气中子单粒子效应故障率预计方法》

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注：a)So I工艺器件SEL免疫b)工作电压小于300 V时不考虑SEB效应c)SEU效应截面推荐使用表中的每bit截面数据；在未知器件存储容量时，可使用每器件的SEU效应截面。*高压器件截面试验数据来自于IEC 62396-1（图G.7）。

在该设备的初步设计阶段，设计者只能获得设备类别和所需设备数量的信息，而对具体的器件型号、工艺等详细信息没有了解。因此DSP、SRAM、FPGA等器件的单粒子效应截面可以参照表2。