《表4 元器件抗单粒子指标要求及风险评估》

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《商业航天元器件抗辐射性能保证研究》

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注:只适用于Si材料的器件，当LET值低于15 Me V·cm2/mg的质子而引起的敏感性也需要分析，因此如果没有测试数据，则需进行质子的地面测试。

根据商业航天器近地轨道的活动特征，结合辐射应用环境需求，表3所示为基于低轨道特征的空间辐射效应的需求指标。针对低轨空间累积辐射环境需求，当在轨寿命要求大于10年时，需要评估总剂量辐射环境的影响。取辐射设计裕度（Radiation Design Margin，RDM）为2时的总剂量（Total Irion Dose，TID）和位移（Displacement Damage，DD），针对低轨空间重离子、高能质子等辐射环境需求特征，考虑到单粒子效应（Single Event Effects，SEE）引起的任务风险程度，给出元器件抗单粒子指标如表4所示。