《表2 氦核与器件布线层作用后产生的粒子种类及平均能量》

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《空间高能粒子与器件布线层核反应后次级粒子LET分布研究》

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从图4（a）中可知:入射质子能量越高，LET值获得的几率越大，质子对器件产生的SEE概率越大。半导体器件覆盖钨层后，导致器件产生SEE的概率变大得更明显，而半导体器件内产生的次级粒子的LET值主要分布为0～25 MeV·cm2/mg，且布线层含钨结构单元产生次级重离子的LET值大于17 MeV·cm2/mg的次级粒子的产额下降趋势减弱；由图4（b）可知:高能氦核与布线层含钨的半导体器件相互作用产生次级重离子LET值比布线层不含钨的半导体相互作用产生的次级重离子LET值要大，其器件内产生的次级粒子的LET值主要分布为0～35 MeV·cm2/mg，且LET值大于20 MeV·cm2/mg的次级粒子产额下降趋势减弱。导致高LET值次级粒子产生的主要原因是随着入射粒子能量增加导致高Z次级粒子的产额及能量都在增加，沉积在器件灵敏区内的沉积能量也增加，而覆盖W层后又加大了高Z粒子的产额，更导致器件灵敏区内沉积能量增加明显。说明半导体器件中覆盖高Z重金属材料能诱导高能粒子产生高LET值的次级重离子，导致器件发生SEE的概率增大。该模拟结果与国外Michael[12-15]的结论符合的很好。