《表1 SRAM器件重离子及质子单粒子翻转截面数据Weibull拟合参数》

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《微电子器件重离子推导质子单粒子效应截面不同计算方法比较研究》

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研究所用的0.25μm CMOS工艺SRAM器件重离子单粒子翻转截面数据[13]及质子单粒子翻转截面数据[14]通过Weibull拟合得到的关键参数如表1所列。将利用该器件的重离子单粒子翻转截面数据结合Bendel-Petersen方法、Barak方法及PROFIT方法开展对比研究。