《表5 6个单元SRAM结构单粒子多位翻转情况》

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《粒子入射条件对28 nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究》

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仿真结果如表5所示，当粒子LET值为0.13 MeV·cm2·mg-1时，粒子轰击SRAM单元3的N1、N3漏级中心时SRAM单元3发生翻转，轰击SRAM单元3的P2漏级中心时无SRAM单元翻转；当粒子LET值为10.0 MeV·cm2·mg-1时，粒子轰击SRAM单元3的N1、N3、P2漏极中心会造成SRAM单元3及其相隔的SRAM单元1和5同时发生翻转，粒子轰击SRAM单元3的N1漏极中心后的翻转结果如图13（a）、（b）所示。当粒子LET值为37.3 MeV·cm2·mg-1时，粒子轰击SRAM单元3的N1、N3和P2漏极中心会造成SRAM单元1、2、3、4、5发生多位翻转。LET值为10.0 MeV·cm2·mg-1时最多发生3位翻转，LET值为37.3 MeV·cm2·mg-1时最多发生5位翻转。