《表1 五种不同结构SRAM存储单元MOS管工艺尺寸对比》
SRAM就是静态随机存储器,其结构原理示意图如图1所示,SRAM一般由存储单元阵列、地址译码器、灵敏放大器、控制电路以及驱动电路五个结构组成。存储单元阵列是SRAM实现功能的关键部分,而剩下的四个部分主要负责为存储单元阵列服务。随着集成工艺的发展,SRAM存储单元出现了许多不同的电路结构,常见的SRAM存储单元电路结构有:传统六管型、六管NMOS型、四管型、改进七管型以及新型八管型。其具体工艺参数参见表1[9~14]。
图表编号 | XD0035651200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.20 |
作者 | 赵鹏、梅亮、常成 |
绘制单位 | 航天科工防御技术研究试验中心、航天科工防御技术研究试验中心、航天科工防御技术研究试验中心 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |