《表1 MOS管尺寸：一种超低功耗全CMOS基准电路》
提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
注意，以上推导未考虑体效应的影响，即假设所有N型MOS管的阈值电压都相等。实际仿真过程中MOS管尺寸如表1。
| 图表编号 | XD0032208600 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.01.05 |
| 作者 | 胡安俊、胡晓宇 |
| 绘制单位 | 中国科学院微电子研究所、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
相关图表
- 《表1 不同输入状态下CMOS门功耗情况》2020.09.01
- 《表1 前端电路中MOS管尺寸》2021.01.25
- 《表1 性能对比详表：一种高阶补偿的开关电容带隙基准电路设计》2021.02.01
- 《表1 结果对比：一种超低功耗的全CMOS基准电压源设计》2020.08.15
- 《表1 与其他的低功耗CMOS电压基准电路的比较》2020.03.25
- 《表1 输出信噪比：基于增益可调放大器的低功耗CMOS前端信号检测研究》2020.04.25
- 《表1 状态转换表：基于CMOS电路的序列信号检测器的设计》2020.08.01
- 《表1 SOI CMOS与体硅CMOS集成电路的主要性能参数对比》2020.04.25
- 《表3 全加电路真值表：基于忆阻器-CMOS的通用逻辑电路及其应用》2020.02.20
- 《表1 L1不同截面尺寸：沉管预制全断面液压内模变形影响因素分析》2019.12.25
- 《表1 角度测试表格：超低功耗倾角测量仪的设计与研究》2019.08.25
- 《表1 超低功耗唤醒引擎与普通唤醒引擎性能对比》2019.08.01
- 《表1 全尺寸爆破试验同沟敷设管轴向不同位置的椭圆外形数据》2019.02.25
- 《表2 基准源性能比较：一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现》2019.04.20
- 《表2 电路参数对比：一种基于数字信号控制的CMOS神经元电路》2019.01.05
- 《表1 五种不同结构SRAM存储单元MOS管工艺尺寸对比》2019.01.20
- 《表2 MOS管电路的抑爆响应系统响应时刻表》2018.09.01
- 《表1 驱动放大和功率放大电路的MOS器件尺寸》2018.08.01
- 《表1 文献参数对比：一种用于高精度DAC的实用型CMOS带隙基准源》2018.02.06
- 《表3 加固不同基准电路需要增加的面积和功耗》2018.04.28