《表2 本文与其他文献的基准电路性能对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《一种超低功耗全CMOS基准电路》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

文中提出了一种超低功耗基准电路，该电路既能产生1 nA的基准电流又能产生560 mV的基准电压，功耗为6 nW。该基准电路采用CMOS工艺，没有电阻和双极型晶体管，版图面积为0.000 42 mm2。采用SMIC 55nm CMOS工艺进行仿真验证，仿真结果表明，1.2 V电源电压下，在-40℃到110℃的温度范围内，基准电流的温漂系数为0.28%/℃，基准电压的温漂系数为24 ppm/℃；常温下，在0.9 V到2 V电源电压范围内，基准电流的电源电压调整率为2.6%/V，基准电压的电源电压调整率为0.48%/V；在100 Hz处，基准电流的PRSS为-34 dB，基准电压的PRSS为-50 dB。该基准电路可以应用于超低功耗模拟电路设计中。