《表2 本文与其他文献的参数对比Tab.2 Performance comparison》

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《无片上电感的低功耗高线性度CMOS混频器》

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*后仿真结果#测试结果&前仿真结果DSB:双边带噪声

表2为本文中混频器与近几年来报道的几种性能优良的混频器的主要性能参数对比，与文献[10]相比，本文提出的混频器并未使用面积较大的电感，在面积、功耗、线性度方面性能优越；与文献[11]相比，本文的混频器同样是无电感结构，并且在增益、噪声系数相比拟的情况下，IIP3高出约14.96 d Bm，即线性度指标上表现突出；与文献[12-13]相比，本文的混频器在线性度、功耗、面积上优势明显。综上，可以看出，本文中的混频器实现了低功耗、高线性度，达到了良好的总体性能。