《表1 功放对比表Tab.1 Comparison of PA》

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《基于GaN器件的平衡式逆F类功率放大器的研究与设计》

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通过表1中与文献[8]的数据对比分析可知，该设计在保持高效率性能的同时，由于采用平衡式结构，对功放的增益平坦度、输入输出驻波系数有很好的改善，功放的性能得到进一步的提升；与文献[18]对比可知，以GaN HEMT为代表的第3代半导体工艺对提升功率放大器的效率有很大的作用。