《表1 S波段Ga N HEMT高效率功放性能对比Tab.1 Performance comparison of GaN HEM T S-band high-efficient PA》
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《S波段40 W GaN高效率内匹配功率放大器的设计》
注:η(漏极效率)=输出功率/直流消耗功率;PAE(功率附加效率)=(输出功率-输入功率)/直流消耗功率。
表1为本次设计功放实物的性能及其与近期文献发表的GaN高效率功放的性能对比。
图表编号 | XD0016829200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.11.05 |
作者 | 朱涤非、钟世昌 |
绘制单位 | 南京电子器件研究所、南京电子器件研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |