《表1 本文与相关报道的P波段GaN HEMT性能对比》
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《60V工作P波段2500W GaN HEMT微波功率管》
表1为本文与国内外相关报道的P波段GaN HEMT功率管的性能对比,由表可见,本文的GaN HEMT微波功率管有较高的输出功率和附加效率,并且通过抗驻波比5∶1的测试,验证了该功率管在实际工程化应用中的鲁棒性。
图表编号 | XD00191201900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.12.25 |
作者 | 周书同、唐厚鹭、王琪、陈韬、魏星、彭大青、陈堂胜 |
绘制单位 | 南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |