《表1 GaN HEMT器件性能比较》

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《W波段3.4W/mm GaN功率放大器MMIC》

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采用上述工艺制作的GaN HEMT器件性能与国际先进水平[7]相比，如表1所示。在Vds=15V工作电压条件下，外在最高跨导大于430mS/mm，最大电流密度达到1.3A/mm，源漏击穿电压大于40V。经在片校准后测试得到电流增益H21和最大可提供功率增益MAG曲线如图2所示，根据20dB/十倍频滚降趋势外推得到器件特征频率分别为，电流增益截止频率ft大于90GHz，最高振荡频率fmax大于220GHz。