《表2 HRL实验室GaN HEMT T型栅器件性能参数[10]》

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《太赫兹固态放大器研究进展》

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美国HRL实验室在GaN HEMT器件和电路的研究上处于国际领先地位，该实验室报道的用于毫米波、THz频段的GaN HEMT T型栅器件性能如表2所示，表中列出了3种不同栅长T型器件的电流增益截止频率fT、最大振荡频率fMAX、击穿电压Vbrk和50 GHz处最小噪声系数Fmin。其中T4A器件fT=329 GHz和fMAX=558 GHz为目前已知的具有最高电流增益截止频率和最大振荡频率的GaN HEMT器件。