《表1 共源共栅GaN器件和Si MOS管主要参数对比》
本文采用Transphorm公司生产的Cascode GaN管TPH3202PD,表1列出其主要参数和IXYS公司专为全固态射频电源生产的Si MOS管IXFH6N100F进行对比。
图表编号 | XD00151009600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.07.30 |
作者 | 谭平平、桂成东、姜力铭、陈文光 |
绘制单位 | 南华大学电气工程学院、南华大学电气工程学院、南华大学电气工程学院、南华大学电气工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |