《表1 硅和碳化硅器件主要参数对比》
由第1节可知,硅基器件在串联型高频感应焊机的应用中已经受到严重制约,作为当前研究热点的宽禁带功率器件,SiC MOSFET高频、高压、大容量和耐高温的特性可以解决硅器件所面临的问题。选择IXYS公司2款相同封装(SOT-227,Mini BLOC)的产品,SiC MOSFET功率器件IXFN50N120 SIC和目前串联型高频感应焊机常用的硅MOSFET功率器件IXFN38N100Q2进行比较[8-9],主要参数对比如表1所示。
图表编号 | XD00151007600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.07.30 |
作者 | 柴艳鹏、王培光、宗晓萍、王贺瑞 |
绘制单位 | 河北大学电子信息工程学院、河北大学电子信息工程学院、河北大学电子信息工程学院、河北大学电子信息工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |