《表1：碳化硅功率器件建模》

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《碳化硅功率器件建模》

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Pspice reference guide中含有IBVL（低水平反向击穿电流），描述了器件在击穿电压附近时，电流的缓慢增长过程。用于使曲线变得光滑。这个参数的具体提取方法，Pspice手册上也没有给出，这个参数的加入，是在击穿电压附近时能够达到的漏电流。