《表1 1 MHz样机功率器件选型》

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《宽禁带器件在1kV高频直流谐振变换器中的应用与对比》

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为验证GaN高压电源，搭建了1台1 kV输入、32 V/3 kW输出、1 MHz模块化多电平LLC变换器样机，如图7所示。1 MHz样机功率器件的选型如表1所示。GaN器件的驱动芯片选用Silicon Labs的Si8271，其CMTI可以达到200 kV/μs。