《表1 大功率发射电路元器件使用情况》

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《基于GaN技术的大功率T/R组件可靠性设计与分析》

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基于Ga N和Ga As的T/R组件大功率微波电路元器件使用情况见表1。基于Ga N的T/R组件单发射通道中，大功率微波电路元器件数量由Ga As电路中的42个减至10个。在微电路芯片减少的同时，显著减少电容使用数量，实现T/R组件可靠性设计的大幅提升。在实际电子战设备应用中，T/R组件发射通道可达上百个，由此可带来客观元器件总数量减少，因此在设计源头实现电子战装备可靠性能力的提升。