《表1 器件损耗实验结果:基于功率器件壳温估计的逆变电路动态限流方法》
为验证所提非线性热路模型和参数辨识的有效性,利用实验平台,在不同负载电流和器件壳温条件下对器件损耗进行测量,所得结果如表1所示。由表可见,在相同的壳温下,器件损耗随着电流的提高而增大。而在相同电流条件下,器件损耗随着器件壳温的上升而提高,这是由于功率MOSFET内阻具有正温度特性。
图表编号 | XD00149555300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.05.01 |
作者 | 万萌、应展烽、张旭东 |
绘制单位 | 南京理工大学能源与动力工程学院、南京理工大学能源与动力工程学院、南京理工大学能源与动力工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |