《表1 不同激光功率和单点曝光时间下制备的碳化硅线条的深度》

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《离子束刻蚀辅助飞秒激光加工制备碳化硅微光学元件》

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利用共聚焦显微镜对碳化硅线条结构进行观察，得到线条结构的宽度和深度随激光能量和曝光时间的变化规律，图2（a）所示为相同单点曝光时间下，不同激光功率的碳化硅线条结构的SEM照片，图2（b）是相同激光功率下，不同单点曝光时间的碳化硅线条结构的SEM图.通过测试获得如图2（c）和（d）所示的激光功率、单点曝光时间与线条结构的宽度和深度的关系.由图2（c）可以看出在相同单点曝光时间下，随着激光功率的增加，碳化硅线条结构的宽度和深度逐渐变大.由图2（d）可以看出在相同激光功率下，随着单点曝光时间的增加，碳化硅线条结构的宽度和深度逐渐变大.激光脉冲能量的增加导致激光在焦点处光斑的横向以及纵向的能量分布随之增加，从而形成的结构的宽度和深度随之增加.而单点曝光时间的增加使得累计在局部区域的能量增加，对材料的影响与直接的脉冲能量增加类似，同样会使形成的线条结构的宽度和深度增加.表1和表2为在不同激光功率和单点曝光时间的条件下制备的碳化硅线条的深度和宽度.线条的深度和宽度随着激光功率和单点曝光时间的增加而增加，可知碳化硅线条结构的宽度和深度可以通过激光功率和单点曝光时间进行灵活调控.